SSD მეხსიერება MZ-V8V500BW Samsung 980 M2 NVMe 500GB

MZ-V8V500BW Samsung SSD 980 M2 NVMe 500GB

მწარმოებელი: Samsung

პროდუქტის კოდი: MZ-V8V500BW

დეტალის მწარმოებლის ნომერი: MZ-V8V500BW

225,00 ₾

increase decrease

სპეციფიკაცია

ატრიბუტის სახელი	ატრიბუტის მნიშვნელობა
General Information
Model	980 NVMe M.2
Manufacturer	Samsung
Official Manufacturer Link	https://www.samsung.com/sg/memory-storage/nvme-ssd/980-500gb-nvme-pcie-gen-3-mz-v8v500bw/
Warranty	1 Year
Color	Black
Storage Device Specifications
Interface	PCIE 3.0
Form Factor	M.2
Seq. Read/Write (MB/s)	Sequential Read: Up to 3,100 MB/s; Sequential Write: Up to 2,600 MB/s
Ran. Read/Write (IOPS ,QD1)	Random Read: Up to 17,000 IOPS; Random Write: Up to 54,000 IOPS
Ran. Read/Write (IOPS ,QD32)	Random Read: Up to 400,000 IOPS; Random Write: Up to 470,000 IOPS
Total Bytes Written (TBW)	300 TBW
Storage Capacity	500 GB

გამოხმაურების სათაური: *

გამოხმაურების ტექსტი: *

თქვენი სახელი და გვარი *

თქვენი ელ-ფოსტა *

თქვენი კითხვა *

სპეციფიკაცია

ატრიბუტის სახელი	ატრიბუტის მნიშვნელობა
General Information
Model	980 NVMe M.2
Manufacturer	Samsung
Official Manufacturer Link	https://www.samsung.com/sg/memory-storage/nvme-ssd/980-500gb-nvme-pcie-gen-3-mz-v8v500bw/
Warranty	1 Year
Color	Black
Storage Device Specifications
Interface	PCIE 3.0
Form Factor	M.2
Seq. Read/Write (MB/s)	Sequential Read: Up to 3,100 MB/s; Sequential Write: Up to 2,600 MB/s
Ran. Read/Write (IOPS ,QD1)	Random Read: Up to 17,000 IOPS; Random Write: Up to 54,000 IOPS
Ran. Read/Write (IOPS ,QD32)	Random Read: Up to 400,000 IOPS; Random Write: Up to 470,000 IOPS
Total Bytes Written (TBW)	300 TBW
Storage Capacity	500 GB